SBT40100VCT-ASEMI肖特基二极管SBT40100VCT
编辑:llSBT40100VCT-ASEMI肖特基二极管SBT40100VCT型号:SBT40100VCT品牌:ASEMI封装:TO-220AB特性:肖特基二极管正向电流:40A反向耐压:100V恢复时间:5ns引脚数量:3芯片个数:2芯片尺寸:120MIL浪涌电流:250A漏电流:20ua工作温度...
ASEMI肖特基二极管MBR30200PT图片,MBR30200PT规格书
编辑-ZASEMI肖特基二极管MBR30200PT参数:型号:MBR30200PT最大重复峰值反向电压(VRRM):200V最大平均正向整流输出电流(IF):30A峰值正向浪涌电流(IFSM):275A每个元件的典型热阻(ReJA):1.4℃/W工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to...
MBR10200FAC-ASEMI肖特基二极管MBR10200FAC
编辑-ZMBR10200FAC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片,其尺寸都是95MIL,是一款大功率肖特基二极管。MBR10200FAC的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FAC采用金属硅芯片材质,里面有1颗芯片...
ASEMI肖特基二极管SB40100LCT参数,SB40100LCT规格书
编辑-ZASEMI肖特基二极管SB40100LCT参数:型号:SB40100LCT最大重复峰值反向电压(VRRM):100V最大平均正向整流输出电流(IF):40A峰值正向浪涌电流(IFSM):200A每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-40to +1...
ASEMI肖特基二极管MBR15200AC特征,MBR15200AC机械数据
编辑-ZASEMI肖特基二极管MBR15200AC参数:型号:MBR15200AC最大重复峰值反向电压(VRRM):200V最大RMS电桥输入电压(VRMS):140V最大直流阻断电压(VDC):200V最大平均正向整流输出电流(IF):15A峰值正向浪涌电流(IFSM):175A每个元件的典型热阻...
ASEMI肖特基二极管20V45参数,20V45尺寸,20V45大小
编辑-ZASEMI肖特基二极管20V45参数:型号:20V45最大重复峰值反向电压(VRRM):45V最大RMS电桥输入电压(VRMS):31.5V最大直流阻断电压(VDC):45V最大平均正向整流输出电流(IF):20A峰值正向浪涌电流(IFSM):300A每个元件的典型热阻(ReJA):31℃/...
ST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET,原厂渠道ASEMI代理
编辑-ZST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数:型号:STW78N65M5连续漏极电流(ID):69A功耗(Ptot):450W贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-55 ~ 150℃漏源击穿电压V(BR)DSS:650V栅极阈值电压V(GS)th:4V零栅极电压漏极电流(IDSS)...