一、MOS不同工作区间
1. Vgs=0
阈值电压：
2. 电阻工作区 Vgs>VT
3. 饱和区
4. 沟长调制效应 —— Vds的影响
5. 速度饱和 —— 沟道非常短的情况
载流子的速度因为散射效应（载流子之间的碰撞）趋于饱和
6. 亚阈值情况
当Vg < VT但Vg > 0的时候，也是有很少的电流的。出现强反型意味着有足够载流子参与导电。
总结
手工分析模型：
二、MOS管的电阻
通过计算 Vdd到Vdd/2 过程中的平均电阻
三、CMOS的动态特性
动态特性取决于本征寄生电容、互联线、负载引起的额外电容
本征寄生电容由基本的MOS结构、沟道电荷、源漏反向偏置pn结耗尽区
1. 结构电容 ——覆盖电容 GSO GDO
2. 沟道电容 ——GCS GCD GCB
3. 结电容
底板pn结 + 侧壁pn结
总结：
