存储器存的内容：存放程序和数据
采用材料：半导体器件或磁性材料
存储器层次结构：
小结：
（1）存储信息的最小单位是位。
（2）计算机中基本的数据单位是字节。
（3）计算机中最小的数据单位是位。
（4）计算机中最小的存储单元是字节(地址)。
位：有两个稳定的工作状态，用0和1表示。
字节：8位二进制数为1个字节。
字：若干个字节组成1个字。每个字都可以寻址，用来处理或运算的。
字长：指cpu的每个字所包含的位数，可分为固定字长和可变字长。含义：指CPU一次可并行处理的二进制位数。
存储器分类
（1）存储介质
半导体器件（半导体存储器）：随机存储器
磁性材料（磁表面存储器）：磁盘存储器和磁带存储器
（2）存储方式
随机存储器：
顺序存储器：磁带存储器
半顺序存储器：磁盘存储器
（3）存储内容可变性：半导体存储器有些固定不变，有些可变
只读存储器（ROM）：只读不能写
随机读写存储器(RAM)：可读可写
（4）信息易失性：断电后的状态，消息是否消失
易失性存储器：RAM
非易失性存储器：磁性存储器
（5）系统中的作用
内部存储器：半导体存储器
外部存储器：磁盘存储器
辅助存储器：磁盘存储器
按字编址和按字节编址
在计算机系统中，存储器中每个单元的位数是相同且固定的，称为存储器编址单元。不同的计算机，存储器的编址方式是不同的，主要有字编址和字节编址。
如果计算机中可编址的最小单位是字存储单元，则按字寻址。
如果计算机中可编址的最小单位是字节存储单元，则按字节寻址。
SRAM存储器--静态读写存储器
SRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里。每个单元是用一个六晶体管电路来实现的。由于SRAM存储器单元的双稳态特性，只要有电，它就会永远地保持它的值。即使有干扰（例如电子噪音）来扰乱电压，当干扰消除时，电路就会回复到稳定值。
DRAM存储器--动态读写存储器
DRAM存储器的存储位元是由一个MOS晶体管（起开关作用）和一个电容器（充满电荷为1，没有电荷为0）组成的记忆电路。
DRAM将每个位存储为对一个电容的充电。每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。当电容被扰乱之后，就永远无法恢复。
DRAM逻辑结构与SRAM不同：
（1）增加了行地址锁存器和列地址锁存器
（2）增加了刷新计数器和相应的控制电路
DRAM和SRAM存储器的特性
DRAM和SRAM的比较：
（1）SRAM的存储元是锁存器（触发器），而DRAM的存储元是由一个MOS晶体管额电容器组成的记忆电路。
（2）只要供电，SRAM就会保持不变。而DRAM会受到干扰,所以需要刷新。
（3）SRAM使用的晶体管比DRAM多，因而密集度低，更贵，功耗更大.