存储器存的内容:存放程序和数据
采用材料:半导体器件或磁性材料
存储器层次结构:
小结:
(1)存储信息的最小单位是位。
(2)计算机中基本的数据单位是字节。
(3)计算机中最小的数据单位是位。
(4)计算机中最小的存储单元是字节(地址)。
位:有两个稳定的工作状态,用0和1表示。
字节:8位二进制数为1个字节。
字:若干个字节组成1个字。每个字都可以寻址,用来处理或运算的。
字长:指cpu的每个字所包含的位数,可分为固定字长和可变字长。含义:指CPU一次可并行处理的二进制位数。
存储器分类
(1)存储介质
半导体器件(半导体存储器):随机存储器
磁性材料(磁表面存储器):磁盘存储器和磁带存储器
(2)存储方式
随机存储器:
顺序存储器:磁带存储器
半顺序存储器:磁盘存储器
(3)存储内容可变性:半导体存储器有些固定不变,有些可变
只读存储器(ROM):只读不能写
随机读写存储器(RAM):可读可写
(4)信息易失性:断电后的状态,消息是否消失
易失性存储器:RAM
非易失性存储器:磁性存储器
(5)系统中的作用
内部存储器:半导体存储器
外部存储器:磁盘存储器
辅助存储器:磁盘存储器
按字编址和按字节编址
在计算机系统中,存储器中每个单元的位数是相同且固定的,称为存储器编址单元。不同的计算机,存储器的编址方式是不同的,主要有字编址和字节编址。
如果计算机中可编址的最小单位是字存储单元,则按字寻址。
如果计算机中可编址的最小单位是字节存储单元,则按字节寻址。
SRAM存储器--静态读写存储器
SRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里。每个单元是用一个六晶体管电路来实现的。由于SRAM存储器单元的双稳态特性,只要有电,它就会永远地保持它的值。即使有干扰(例如电子噪音)来扰乱电压,当干扰消除时,电路就会回复到稳定值。
DRAM存储器--动态读写存储器
DRAM存储器的存储位元是由一个MOS晶体管(起开关作用)和一个电容器(充满电荷为1,没有电荷为0)组成的记忆电路。
DRAM将每个位存储为对一个电容的充电。每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。当电容被扰乱之后,就永远无法恢复。
DRAM逻辑结构与SRAM不同:
(1)增加了行地址锁存器和列地址锁存器
(2)增加了刷新计数器和相应的控制电路
DRAM和SRAM存储器的特性
DRAM和SRAM的比较:
(1)SRAM的存储元是锁存器(触发器),而DRAM的存储元是由一个MOS晶体管额电容器组成的记忆电路。
(2)只要供电,SRAM就会保持不变。而DRAM会受到干扰,所以需要刷新。
(3)SRAM使用的晶体管比DRAM多,因而密集度低,更贵,功耗更大.