Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器

【文件属性】：
文件名称：Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器
文件大小：41KB
文件格式：PDF
更新时间：2020-10-20 06:34:59
Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器 其它 导读：近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。 　　VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm.该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。 　　除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光电子技术，VOW3120-X017T还具有目前最好的的电性能。VOW3120能抑制50kV/μs的典