硅栅N沟道MOS场效应晶体管的研制 (1975年)

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文件名称：硅栅N沟道MOS场效应晶体管的研制 (1975年)
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更新时间：2021-05-10 11:41:20
自然科学 论文 引言采用硅栅Ｎ沟道工艺，制造千位以上的快速大容量的ＭＯＳ贮器，被认为是一个比较好的方案。Ｎ为硅栅Ｎ沟ＭＯＳ器件兼有其它工艺诸如：铝栅Ｐ沟道、硅栅Ｐ沟道、铝栅Ｎ沟道等工艺的优点。这是因为：第一，Ｎ沟道电子迁移率比空穴大三倍多，因而同样几何的Ｎ沟道器件的跨导比Ｐ沟道大得多，另外硅栅自对准工艺，能减小寄生电容，因而硅栅Ｎ沟道器件有较快的速度。第二，硅栅工艺有铝条，多晶硅和扩散层三层布线，提供了设计?...