功率mosfet教程

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文件名称：功率mosfet教程
文件大小：556KB
文件格式：DOC
更新时间：2012-09-07 09:28:07
高压N型沟道功率MOSFET的特性，并为器件选择提供指导 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性，并为器件选择提供指导。最后，解释了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的数据表。