我们关于PN结的形成

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文件名称：我们关于PN结的形成
文件大小：245KB
文件格式：PPT
更新时间：2014-06-16 16:15:55
PN结 空穴 N型半导体中的多子电子的浓度远大于P型半导体中少子电子的浓度；P型半导体中多子空穴的浓度远大于N型半导体中少子空穴的浓度。于是在两种半导体的界面上会因载流子的浓度差发生了扩散运动，