论文研究-ECR-MOCVD法外延生长GaN薄膜及其研究 .pdf

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更新时间：2022-09-05 16:44:17
GaN薄膜 ECR-MOCVD法外延生长GaN薄膜及其研究，薛永奇，陈俊芳，采用电子回旋共振等离子体增强化学汽相沉积（ECR-MOCVD）在（0001）面蓝宝石衬底上低温（450oC)外延生长了 GaN薄膜。通过等离子体的发射�