【文件属性】:
文件名称:炙手可热的nandflash
文件大小:569KB
文件格式:PDF
更新时间:2013-08-25 06:41:31
nandflash
主要讲解nandflash的基本知识。目前FLASH 的技術可以分為SLC(Single level cell)、MCP(Multi Level Cell)、及MBC
(Multi Bit cell)三種。
SLC 的技術在寫入資料時,是透過對Floating Gate 的電荷加電壓,透過Source 即可將
所儲存的電荷消除,如此一來即可儲存1 bit 的資料;NAND Flash 廠商中,包括Samsung、
Hynix、Micron 都是採這樣的技術。MLC 的技術則是在Floating Gate 中利用不同電位(Level)
的電荷,透過Memory Cell 的電壓控制、精準讀寫,假設以四種電壓控制、一個transisto
可存2 bits 的資料,控制八種電壓就可存3 bits 的資料,使Flash 的容量大幅提升。MLC
的技術領導廠商為Intel、Toshiba。由於在相同晶片大小,MLC 的容量是SLC 的一倍以上,
Samsung 也投入MLC 技術研發、預計在2005 年第二季將推出產品。