汉字字库存储芯片扩展实验——Logisim

时间:2024-04-08 22:50:37

一、实验目的

理解存储系统进行位扩展、字扩展的基本原理,能利用相关原理解决实验中汉字字库的存储扩展问题,并能够使用正确的字库数据填充。
二、实验内容

现有如下 ROM 组件,4 片 4K32 位 ROM ,7 片 16K32 位 ROM,请在 Logisim 平台构建 GB2312 汉字编码的 1616 点阵汉字字库,电路输入为汉字区号和位号,电路输出为 8×32 位( 1616=256 位点阵信息),待完成的字库电路输入输出引脚见后图,具体参见工程文件中的 storage.circ 文件,图中左侧是输入引脚,分别对应汉字区位码的区号和位号,中间区域为 8 个 32 位的输出引脚,可一次性提供一个汉字的 256 位点阵显示信息,右侧是实际显示区域,用于观测汉字显示是否正常。待完成字库子电路封装已经完成,请勿修改以免影响后续自动测试功能。
三、电路设计图
汉字字库存储芯片扩展实验——Logisim
四、运行结果
汉字字库存储芯片扩展实验——Logisim
五、心得和体会
这次实验让我学习到了很多。一开始,我从上个周开始就在做这个汉字字库存储芯片扩展实验,但是画的电路交上去测评一直都是错的。好在今天,经同学点拨,要将ROM里的内容复制到自己的设计画出的存储器中。这样一修改测评就对了。总之,完成这次实验挺不容易的,也让我学到了许多。

六、Logisim代码
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