Android Studio 快速定位内存泄露的方法

时间:2024-04-02 19:09:38

前言

内存泄露是指一些生命周期结束的对象,由于一些原因还存在内存中,并且不能被GC回收,导致内存不断的增长,最终导致程序卡顿甚至内存溢出(俗称的OOM)。

本文根据Google的官方文档,结合笔者的实际使用情况,介绍了如何使用 Android Studio(简称AS)自带的工具对内存进行监控、分析,特此记录。

工具介绍

Memory Monitor 是AS中自带的一种内存监视器,提供了内存监控和内存分析功能,能够让开发者非常方便的检查App的RAM的使用情况。

Android Studio 快速定位内存泄露的方法
上图中,区域D是内存的监控界面,其中各个按钮从左至右的功能如下:

  • Enable:打开/暂停内存监控
  • Initiate GC:点击后执行一次GC操作。
  • Dump Java Heap:Java内存堆镜像。点击生成一个hprof文件显示当前的Java内存堆情况
  • Start Application Tracking:跟踪内存使用情况。点击第一次开始跟踪,点击第二次结束跟踪并生成alloc文件。(在本文中不做介绍)
  • Memory monitor help:跳转到官方帮助文档

参数说明

Memory Monitor参数

参数名 含义
Free 当前进程,剩余的可用内存
Allocated 当前进程,已经使用的内存

两者相加,就是此时App分配给当前进程的可用内存总量,这一总量会随着内存使用的情况发生变化,当总量超过App允许的最大内存使用量时,就会出现OOM。

hprof文件参数

hprof 文件是某个时间点的内存分析文件,记录了当前时间点的内存分配、使用情况,从这个文件中,我们可以检查出大多数的内存泄露场景,并快速的定位到造成内存泄露的原因。下面是这个文件的一些参数的含义的介绍:

参数名 含义
Class Name 存储在内存中的对象名称
Total Count 在内存中存在的对象的个数
Heap Count 在堆内存中存在的对象的个数
Sizeof 每个对象占用的内存大小
Shallow Size 当前对象自身占用的内存大小
Retained Size 当前对象保留的内存大小
Instance 当前对象在内存中的实例
Reference Tree 当前实例的引用列表
Depth GC Root 到当前实例的最小权重
Dominating Size 当前实例可支配的大小

关于这些参数解释,还有下面几点需要注意:

  1. Total Count 和 Heap Count 不同的原因是因为Java的内存分为堆内存和栈内存,其中 Heap Count 是指在堆内存中的存储个数。堆内存是由Java的内存回收机制管理的,应用对于内存的分析和优化也是基于堆内存的,所以我们需要关注的也是 Heap Count 的值。

  2. Retained Size 意思是保留的内存大小,也是指的当前对象如果被GC后堆上能释放的大小,和 Shallow Size 相比,它的大小包括了当前对象引用的一些对象的大小,这两种大小的具体解释可以看看这篇文章:Shallow heap & Retained heap

  3. 深度这个参数表示的是从 GC Root 到选定实例的最短的跳转(这里的跳转可理解成从一个类找到另一个类),在分析 Reference Tree 时可以根据这个值展开对应的项(比如说这个值是5,你就在 Reference Tree 中找4,然后找3,一直到0,既可以找到被 GC Root 持有的实例)

使用详解

使用 hprof 文件进行分析

在介绍参数时我提到过,可以通过分析 hprof 文件来快速的定位代码中简单的内存泄露,所谓的简单的内存泄露,就是由于 Activity 造成的内存泄露。

Activity 造成的内存泄露是 Android 开发中最常见,也是最容易产生的内存泄露,文章开头提到的案例中,有很多都是会造成 Activity 泄露例子,而 AS 为我们提供了一个工具,能够自动的帮我们找到 hprof 文件中 Activity 的泄露。

Android Studio 快速定位内存泄露的方法

如上图所示,我们点击“Analyzer Tasks”,选中“Detect Leaked Activities”,然后点击“Perform Analysis”,便可以在 Analysis Results 下生成一个“Leaked Activities”的可展开项,展开后我们就可以看到是哪个 Activity 造成的内存泄露。点击 Leaked Activities 下的子项后,我们可以在 Reference Tree 下面可能会看到如下内容:

Android Studio 快速定位内存泄露的方法

这种情况我们可以看到,所泄露的 Activity 被用不同的颜色展示出来了,我们依次展开其子项就可以找到造成内存泄露的地方,而依据就是 Depth 这个值,当 Depth 为0时,就是造成内存泄露的罪魁祸首了。

Depth 这个值我们上面有过介绍,是 GC Root 到当前实例的最小跳转次数(可以抽象的理解成 GC Root 到达实例的最小权重),当 Depth 为0时表示对应的实例被 GC Root 直接持有,反映在内存泄露的前提下,就是造成内存泄露的根源。

转换文件到MAT分析

上面我们提到过,AS 提供的工具能帮我们快速的定位到与 Activity 相关的内存泄露,有时我们需要更加详细的分析应用的内存情况,还是需要使用到 MAT 的工具。

MAT 需要的也是 hprof 文件,但是不能直接 AS 生成的 hprof 文件,所以我们需要将hprof文件转换为MAT可识别的文件,AS 也为我们提供了这个方法。

Android Studio 快速定位内存泄露的方法

我们可以在 AS 的侧边栏上看到有一个“Captures”的页卡,打开后,可以看到所有我们生成的 hprof 文件,选择一个文件后,右键选择“Export to standard .hprof”,然后选择输出位置和文件名就可以了。

注意:有些人的 AS 侧边栏上没有这个页卡,可以在”View - Tool Windows - Captures”中打开

优点分析

  • 优点:
    • Google的亲儿子,不用担心维护问题。
    • 嵌入在 AS 中,使用方便。
    • 可以自动分析 Activity 相关的内存泄露
    • 定位迅速,使用简单

  • 缺点:
    • 功能单一,通过列表展示数据不直观

所以,笔者认为,AS 提供的工具,适合我们在开发过程中监视、分析我们的内存使用情况,当检测到内存使用出现异常时,可以先尝试解决 AS 定位到的问题,如果内存的使用情况得不到改善,再考虑使用 MAT 工具来进行内存分析。

参考文献

Google官方文档 - RAM相关