芯茂微开关电源 LP3667B 5W极简高性能PSR --满足全球认证要求

时间:2024-02-23 17:01:01

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LP3667B 5W极简高性能PSR --满足全球认证要求(全新升级)

发表时间: 2019-09-17 00:00:00

 

作者: Ki

 

来源: 芯茂微电子

 

浏览: 13097

●外围元器件极简:比业界现有方案节省6-7颗外围器件,方案成本低,备料、生产简单,大大提高生产直通率。 ●系统安全性和可靠性:芯片耐压≥850V,变压器漏感小、具有Vce尖峰小的优势,省RCD吸收电路安全可靠。 ●ESD能力超强:芯片管脚人体放电模式(HBM)≥4KV,生产、存储、使用时更加安全可靠。

 

 

          

  LP3667B5V1A过认证电路图                                                   LP3667B 5V1A过认证实物图

 

 

    INPUT 230Vac 传导L线测试图                                                  INPUT 230Vac 传导N线测试图

 

 

     INPUT 230Vac 辐射水平测试图                                                  INPUT 230Vac 辐射垂直测试图

 

 

LP3667B过认证方案成本及性能优势:

 

1、极简外围,比现有常规方案,节省6-7颗外围器件,系统成本低,备料及生产简单,提高生产效率;

2EMI/EMC特性好、余量足,即使无Y电容,也能轻松满足全球认证要求;

3耐压850V,独有的晶体管防二次击穿电路,极高的安全性及可靠性;

4高精度的恒流恒压特性,带输出线损补偿,保护功能完善,具有过温、过压、过流、短路等保护;

5专利的供电及自适应智能驱动技术,满足六级能效要求且余量足、极低的温升

6独有的工艺制程,芯片管脚人体放电模式(HBM) 4KV,生产、存储、使用时更加安全可靠。

 

LP3667B过认证方案应用注意事项

 

1Vcc电容用贴片电容(1uF、耐压≥10V),或者高频低阻电容(4.7uF、耐压≥10V),不能用普通铝电解;

2、大电流回路尽量短,亦即高压输入电容负极与芯片7脚、Vcc电容正负极与芯片1/7脚铜箔走线短;

3、无Y电容应用时,次级肖特基须并联RC吸收电路及增加Cg(10PF/1KV)电容。

 

 

5W非标PCBA成本<0.80

 

 

 

 

 

 

 

 

LP3667B5V1A方案成本及性能优势优势:

 

 

l  外围元器件极简:比业界现有方案节省6-8颗外围器件,方案成本低,备料、生产简单,大大提高生产直通率。

l  系统安全性和可靠性:芯片耐压≥850V,变压器辅助绕组放在变压器最外层,漏感小,省RCD吸收电路安全可靠。

l  ESD能力超强:芯片管脚人体放电模式(HBM)4KV,生产、存储、使用时更加安全可靠。

 

 

BOM:

 

 

变压器资料:

 

 

应用注意事项:

l  变压器匝比可取12-15,确保感量及磁芯在产品老化、正常工作时,不会进入饱和状态;

l  RCD吸收,变压器辅助绕组必须绕在最外层,并确保变压器绕制工艺使系统Vce尖峰≤830V

l  可通过变压器匝比调节系统输出OCP大小,匝比越大OCP越大,匝比越小OCP越小。在感量1.7mH情况下,匝比135:9OCP1.25A左右,匝比135:10OCP1.15A左右,匝比135:11OCP1.05A左右。

l  Vcc电容选用贴片电容(1uF、耐压≥10V),或者高频低阻电容(4.7uF、耐压≥10V),不能用普通铝电解;

 

 

替换竞品5W非标应用

 

替换竞品应用:

                        竞品电路图                                                                                                     LP3667B电路图

 

 

 

 

   竞品改动前PCB实物图                                                   改为LP3667BPCB实物图

 

 

l  PCB板不做改动;

l  变压器不做改动;

l  直接拿掉原板上的5个器件(见上图圆框内)即可;

l  LP3667B耐压≥850V,如果将原变压器改为芯茂微推荐参数及工艺,原板上RCD电路还可省略;

l  Vcc电容须用1uF贴片电容,或4.7uF高频低阻电解电容。

l  替换竞品双绕组应用时,上偏电阻是21206电阻串联的才能直接替换,否则必须更改LAYOUT

 

FB上偏电阻阻值按如下公式计算:

 

 

说明:

1、  VOUT:设计空载输出电压,单位V

2、  ND:原变压器辅组绕组匝数;

3、 NS:原变压器次级绕组匝数;

 

 

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