本文提出了一种基于表面电位的紧凑模型，用于模拟具有栅极和源极场板（FP）结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的电容特性。在HEMT中加入FP结构可以提高击穿电压、减少栅极漏电等，但也会影响器件的电容特性，特别是在亚阈值区域，栅极和漏极之间以及漏极和源极之间会出现反馈米勒电容，从而影响开关特性。本文中，我们模拟了终端电容的偏置依赖性，其中用于电容推导的固有电荷表达式是基于分析和物理性质的，并且适用于器件操作的所有区域。所提出的模型在Verilog-A中实现，并在不同温度下与测量数据非常吻合。
关键词包括：电容、场板（FP）、GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）、建模、表面电位（SP）。