IGBT模块A2F12M12W2-F1、A2U12M12W2-F2为简化SiC逆变器而设计

时间:2022-12-15 11:54:51

ACEPACK 2电源模块是集成有SiC电源MOSFET技术的1200V模块。这些电源模块支持宽带隙碳化硅材料和高热性能基板的特性 。A2F12M12W2-F1模块采用4组拓扑,A2U12M12W2-F2模块采用3级拓扑。ACEEPACK 2具有低单元面积导通电阻和良好的几乎不受温度影响的开关性能。该电源模块的典型工作RDS(on)为13mΩ,漏极电流 (Id) 为75A, 最高结温 (TJ ) 为175°C以及电压绝缘为2.5kVrms。ACEPACK 2模块采用压配触点引脚,用于直流/直流转换器。(明佳达电子/星际金华回收且供应A2F12M12W2-F1、A2U12M12W2-F2 IGBT模块)

IGBT模块A2F12M12W2-F1、A2U12M12W2-F2为简化SiC逆变器而设计

1、A2F12M12W2-F1 ACEPACK 2 POWER MODULE, FOURPACK

说明:A2F12M12W2-F1 是一个四组模块,可为 DC/DC 转换器等电路提供方便紧凑的全桥功率变换解决方案。

IGBT 类型:-

配置:全桥

不同 Vge、Ic 时 Vce (on)(最大值):-

不同 Vce 时输入电容 (Cies):7 nF @ 800 V

输入:标准

NTC 热敏电阻:是

工作温度:175°C(TJ)

安装类型:底座安装

封装 / 外壳:模块

供应商器件封装:ACEPACK™ 2

基本产品编号:A2F12M12

2、A2U12M12W2-F2 模块 ACEPACK 2 POWER MODULE, 3-LEVEL

说明:模块采用三电平 T 型逆变拓扑,导通能效和开关能效均很出色,输出电压质量稳定。

IGBT 类型:-

配置:三级反相器

不同 Vge、Ic 时 Vce (on)(最大值):-

不同 Vce 时输入电容 (Cies):7 nF @ 800 V

输入:标准

NTC 热敏电阻:是

工作温度:175°C(TJ)

安装类型:底座安装

封装 / 外壳:模块

供应商器件封装:ACEPACK™ 2

特性

ACEPACK 2电源模块

每个开关的典型RDS(on)为13mΩ

绝缘电压为2.5kVrms  

集成NTC温度传感器

基于DBC Cu-Al2O3-Cu

压配接触引脚

A2F12M12W2-F1:4组拓扑

A2U12M12W2-F2:3级拓扑

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