三星(Samsung) NAND Flash列表

时间:2021-11-23 20:30:58
 

三星(Samsung) NAND Flash列表

关键字:器件 NAND-Flash Samsung

型号

结构

页结构

块结构

工作电压(V)

温度

读速度

(nS)

封装

生产状态

注释

8Gb

K9W8G08U1M

1M x 8

 

 

2.7 ~ 3.6

C,I

50

48TSOP1

工程样品

90nm Dual die

(4G DDP x 2)

4Gb

K9K4G08QA0M

512M x 8

 

 

1.70 ~ 1.95

C,I

50

48TSOP1

工程样品

90nm Dual die

 

K9K4G08U0M

 

 

2.7 ~ 3.6

工程样品

K9W4G08U1M

 

 

量产

0.12µm Dual die

(2G DDP x 2)

K9K4G16Q0M

256M x 16

 

 

1.70 ~ 1.95

50

工程样品

90nm Dual die

K9K4G16U0M

 

 

2.7 ~ 3.6

工程样品

K9W4G16U1M

 

 

量产

0.12µm Dual die

(2G DDP x 2)

2Gb

K9F2G08U0M

256M x 8

 

 

2.7 ~ 3.6

C,I

50

48TSOP1

Jan. '04样品

90nm

K9K2G08U0M

 

 

80

量产

0.12µm

Dual die

K9K2G08Q0M

 

 

1.70 ~ 1.95

50

量产

K9F2G08Q0M

 

 

工程样片

90nm

K9K2G16U0M

128M x 16

 

 

2.7 ~ 3.6

C,I

50

48TSOP1

量产

0.12µm

Dual die

K9K2G16Q0M

 

 

1.70 ~ 1.95

80

工程样片

K9F2G16Q0M

 

 

1.70 ~ 1.95

50

工程样片

90nm

K9F2G16U0M

 

 

2.7 ~ 3.6

Jan.'04样品

1Gb

K9F1G08Q0A

128M x 8

 

 

1.70 ~ 1.95

C,I

50

48TSOP1

开发中

-

K9F1G08D0A

 

 

2.4 ~ 2.9

K9F1G08U0A

 

 

2.7 ~ 3.6

48TSOP1,

48WSOP1

K9K1G08Q0A

 

 

 

 

1.70 ~ 1.95

60

48TSOP1,

63TBGA

已量产

0.12µm,双硅片

(512Mb x 2)

K9F1G08U0A

 

 

2.7 ~ 3.6

50

48TSOP1,

48WSOP1,

63TBGA

48TSOP1

K9F1G08D0M

 

 

2.4 ~ 2.9

0.12µm

K9F1G08Q0M

 

 

1.70 ~ 1.95

K9F1G08U0M

 

 

2.7 ~ 3.6

48TSOP1,

48WSOP1

K9K1G08U0M

 

 

48TSOP1

0.15µm,双硅片

(512Mb x 2)

K9K1G16Q0A

128M x 16

 

 

1.7 ~ 1.95

C,I

60

48TSOP1,

63TBGA

已量产

0.15µm,双硅片

(512Mb x 2)

K9K1G16U0A

64M x 16

 

 

2.7 ~ 3.6

C,I

50

48TSOP1

已量产

0.15µm,双硅片

(512Mb x 2)

K9F1G16D0M

2.4 ~ 2.9

0.12µm

K9F1G16Q0M

 

 

1.70 ~ 1.95

80

K9F1G16U0M

 

 

2.7 ~ 3.6

50

512Mb

K9F1208Q0B

64M x 8

 

 

 

 

1.7~1.95

C,I

50

63TBGA

 

开发中

-

K9F1208U0B

 

 

2.7 ~ 3.6

48TSOP1,

63TBGA,

48WSOP1

-

K9F1208D0B

 

 

2.4 ~ 2.9

48TSOP1,

63TBGA

-

K9F1208D0C

 

 

2.4 ~ 2.9

63TBGA

已量产

0.12µm,双硅片

(256Mb x 2)

K9F1208Q0C

 

 

1.7~1.95

K9F1208U0C

 

2.7 ~ 3.6

K9F1208D0A

 

 

2.4 ~ 2.9

48TSOP1

Being phased out, MCP only

0.12µm

K9F1208U0A

2.7 ~ 3.6

48TSOP1,

48WSOP

已量产

K9F1208Q0A

1.7 ~ 1.95

60

48TSOP1,

63TBGA,

48WSOP1

Being phased out, MCP only

0.12µm

K9F1208U0M

2.7 ~ 3.6

50

48TSOP1

已量产

0.15µm

K9F1216D0C

32M x 8

 

 

2.4 ~ 2.9

 

 

 

 

 

 

50

63TBGA

已量产

0.12µm,双硅片

(256Mb x 2)

K9F1216Q0C

 

 

1.7 ~ 1.95

60

K9F1216U0C

 

 

2.7 ~ 3.6

50

K9F1216D0A

 

 

2.4 ~ 2.9

50

48TSOP1

0.12µm

K9F1216Q0A

 

 

1.7 ~ 1.95

60

63TBGA

Jun. '04量产

0.12µm

K9F1216U0A

 

 

2.7 ~ 3.6

50

48TSOP1

已量产

0.15µm

256Mb

K9F5608D0C

32M x 8

 

 

2.4 ~ 2.9

C,I

50

48TSOP1,

63TBGA

已量产

0.12µm

K9F5608Q0C

 

 

1.7 ~ 1.95

63TBGA

K9F5608Q0C

 

 

2.7 ~ 3.6

48TSOP1,

63TBGA,

48WSOP

K9F5608Q0B

 

 

1.7 ~ 1.9

63TBGA

0.15µm

K9F5608U0B

 

 

2.7 ~ 3.6

48TSOP1,

63TBGA,

48WSOP

K9F5608U0A

 

 

48TSOP1

0.18µm

K9F5616Q0C

16M x 16

 

 

1.7~1.95

63TBGA

0.12µm

K9F5616U0C

 

 

2.7 ~3.6

48TSOP1,

63TBGA,

48WSOP1

K9F5616Q0B

 

 

1.65 ~ 1.95

63TBGA

0.15µm

K9F5616U0B

 

 

2.7 ~ 3.6

48TSOP1,

63TBGA

128Mb

K9F2808Q0C

16M x 8

 

 

1.7 ~ 1.9

C,I

50

63TBGA

Jun. '04量产

0.12µm

K9F2808U0C

2.7 ~ 3.6

48TSOP1,

63TBGA

48WSOP1

已量产

K9F2808U0C

2.7 ~ 3.6

48TSOP1,

63TBGA

48WSOP1

Jun.'04可量产

TBGA

0.15µm

K9F2816Q0C

8M x 16

 

 

1.7 ~ 1.9

63TBGA

Jun. '04量产

0.12µm

K9F2808U0B

2.7 ~ 3.6

48TSOP1,

63TBGA

已量产

K9F2808U0A

1.7 ~ 1.95

63TBGA

Jun. '04量产

0.15µm

64Mb

K9F6408Q0C

8M x 8

 

 

1.65 ~ 1.95

 

C,I

50

48TBGA

Engineering Sample

0.15µm

K9F6408Q0C

2.7 ~ 3.6

44TSOP2

K9F6408Q0C

Mass

Production

0.22µm

K9F6408Q0C

Begin

Phased out

0.27µm

32Mb

...

16Mb

...

8Mb

...

4Mb

...

[Note]

1.Operating Temperature(Celsius); C: Commercial(0°C~70°C), I: Industrial(-40°C~85°C)

2.To get pinout and package

更新时间: 03-12-21