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这里说的CT，不是医院里面的CT，而是闪存的一种技术：Charge Trap。
闪存不只有Floating Gate，还有Charge Trap。
浮栅极材料是导体，一般为多晶硅。
CTF（Charge Trap Flash）与FGF （Floating Gate Flash）最大不同是存储电荷的元素不同，后者是用导体存储电荷，而前者是用高电荷捕捉（Trap）密度的绝缘材料（一般为氮化硅，SI3N4）来存储电荷。CTF的绝缘材料上面就像布了很多陷阱，电子一旦陷入其中，就难以逃脱，而FGF是导体材料，电子可以在里面*移动。有人是这样来形容两者区别的：FGF的浮栅极就像水，电子可在里面*移动；而CTF就像是奶酪，电子在里面移动是非常困难的。
相对FGF来说，CTF的一个优势就是：对Tunnel氧化层不敏感，厚度变薄，或者擦除导致老化，CTF表示压力不大。
CTF相比FGF，有很多好处，如上面提到的，对tunnel氧化层要求不是那么苛刻；更小的cell-to-cell interface；tunnel氧化层磨损更慢；更节能；据说工艺实现也容易；可以在更小的尺寸上实现。但是，CTF也不是完胜。在Read disturb和Program disturb上，CTF较FGF影响更大。为什么？因为tunnel氧化层可以更薄，同样的导通电压，tunnel电场就更强，因此电子越容易跑到Charge Trap里面。总的看来，CTF的一个特点就是，电子容易进不容易出。
CTF看来很好，但很奇怪的是，2D闪存很少看到CTF，不知道为什么。CT技术现在主要是应用在3D闪存上。